立足崗位踔厲奮發，加快半導體材料創新發展-中國(guó)電(diàn)子科技(jì)集團有限公司

　　黨的二十大報(bào)告強調，要加快實施創新驅動發展戰略，加快實現高(gāo)水(shuǐ)平科技(jì)自(zì)立自(zì)強，以國(guó)家戰略需求為(wèi)導向，集聚力量進行原創性引領性科技(jì)攻關，堅決打赢關鍵核心技(jì)術(shù)攻堅戰。

　　“終于成功了！”近日，中國(guó)電(diàn)科46所成功制備出2英寸氧化镓同質外延片，實現在該領域的再次突破。

　　走進緊張忙碌的新型半導體材料重點實驗室，一(yī)台台單晶和外延生(shēng)長(cháng)設備映入眼簾，在這些看(kàn)似神秘的裝置裡(lǐ)，白(bái)色氧化镓粉末聚沙成塔默默生(shēng)長(cháng)，由它打磨而成的抛光(guāng)片、外延片，制作成的各類器(qì)件(jiàn)，在消費(fèi)電(diàn)子、新能(néng)源汽車、特高(gāo)壓輸電(diàn)、軌道交通(tōng)等領域有著(zhe)廣闊應用前景。

　　氧化镓作為(wèi)第四代半導體材料可謂“天資卓越”，超大禁帶寬度使其能(néng)用更少材料制造出更高(gāo)耐壓、更強處理能(néng)力的半導體器(qì)件(jiàn)。面對氧化镓自(zì)主創新重任，46所實施揭榜挂帥，突破2英寸、4英寸氧化镓單晶生(shēng)長(cháng)技(jì)術(shù)，研制出高(gāo)耐壓外延片，為(wèi)實現氧化镓批量生(shēng)産打下(xià)堅實基礎。

　　這是中國(guó)電(diàn)科加快關鍵基礎材料自(zì)主創新的生(shēng)動實踐。

　　堅持把科技(jì)命脈掌握在自(zì)己手中，46所以超寬禁帶半導體技(jì)術(shù)創新為(wèi)引領，以矽外延産業(yè)優勢為(wèi)依托，加快突破先進矽材料和化合物(wù)半導體材料原創技(jì)術(shù)。

　　從(cóng)率先研制出滿足深紫外探測要求的高(gāo)透氮化鋁單晶，技(jì)術(shù)領先的同帶泵浦激光(guāng)光(guāng)纖，到(dào)大幅提升6英寸砷化镓單晶材料電(diàn)阻率，從(cóng)形成矽單晶、矽片、矽外延等完整産業(yè)鏈，到(dào)光(guāng)纖環圈産能(néng)産量實現翻番增長(cháng)。近年(nián)來，立足電(diàn)子功能(néng)材料領域深厚基礎，46所聚焦“打基礎、見(jiàn)成效、跨越式發展”三步走目标，全面布局一(yī)代、二代、三代、四代半導體“賽道”，奮力實現系列創新突破。

　　創新實力穩步提升，為(wèi)産業(yè)應用提供了硬支撐。

　　全力推進科技(jì)成果轉化和産業(yè)化發展，46所加快布局第三代半導體材料産業(yè)，不斷延鏈擴鏈強鏈，不斷提升行業(yè)地位和影響力，勇擔産業(yè)鏈“鏈長(cháng)”，奮力打造國(guó)内領先、世界先進的材料創新發展集群，支撐我國(guó)半導體材料産業(yè)蓬勃發展。