集群發力、向高(gāo)攀登，第三代半導體産業(yè)動能(néng)強勁-中國(guó)電(diàn)子科技(jì)集團有限公司

　　“本批訂單共計96台套，将分多(duō)批次發貨。”新年(nián)伊始，一(yī)批第三代半導體碳化矽外延裝備從(cóng)長(cháng)沙發往用戶現場，勾勒出中國(guó)電(diàn)科第三代半導體産業(yè)發展欣欣向榮的圖景。

　　碳化矽外延生(shēng)長(cháng)設備是碳化矽器(qì)件(jiàn)制造專用設備中最重要的一(yī)類。通(tōng)過不懈鑽研，電(diàn)科裝備48所還(hái)推出碳化矽用立式低(dī)壓化學氣相(xiàng)沉積設備，成功攻克高(gāo)潔淨度環境獲得、高(gāo)穩定壓力控制、高(gāo)精度溫度控制等技(jì)術(shù)難題。

　　千裡(lǐ)之外的山西(xī)，中國(guó)電(diàn)科（山西(xī)）碳化矽材料産業(yè)基地生(shēng)産車間緊張忙碌，一(yī)排排3米高(gāo)碳化矽單晶生(shēng)長(cháng)設備表面平靜(jìng)，裡(lǐ)面2000℃以上(shàng)的高(gāo)溫中，正進行著(zhe)驚人的化學反應——一(yī)個(gè)個(gè)碳化矽晶錠正在快速生(shēng)長(cháng)。

　　“碳化矽單晶制備是全球性難題，而高(gāo)穩定的晶體生(shēng)長(cháng)工(gōng)藝則是其中最核心的一(yī)環。”電(diàn)科材料技(jì)術(shù)專家表示，深耕碳化矽材料和大尺寸單晶“賽道”，團隊著(zhe)力突破6英寸、8英寸碳化矽産品的技(jì)術(shù)難題，順利突破6英寸N型碳化矽襯底産業(yè)化技(jì)術(shù)，實現6英寸産品規模化生(shēng)産，産品良率等各項指标得到(dào)有效改善，産量産能(néng)再創新高(gāo)，突破大尺寸單晶制備等關鍵難題，順利研制出8英寸碳化矽襯底，并實現小(xiǎo)批量生(shēng)産。

　　在不斷刷新材料、裝備研制高(gāo)度的同時，中國(guó)電(diàn)科持續拓寬器(qì)件(jiàn)應用廣度。

　　“這是一(yī)個(gè)1200伏、100安的碳化矽半導體器(qì)件(jiàn)，電(diàn)能(néng)的處理和控制，靠的就(jiù)是這個(gè)。”手持小(xiǎo)小(xiǎo)的器(qì)件(jiàn)，技(jì)術(shù)專家介紹道。随著(zhe)新能(néng)源汽車市(shì)場快速發展，碳化矽材料研制的器(qì)件(jiàn)、模塊在高(gāo)功率、高(gāo)頻、高(gāo)壓、高(gāo)溫場景下(xià)的優勢愈發明顯。相(xiàng)同規格下(xià)碳化矽MOSFET的尺寸隻有矽基産品的1/10。與矽基IGBT相(xiàng)比，使用碳化矽MOSFET器(qì)件(jiàn)，系統能(néng)量損耗可以降低(dī)70%。

　　瞄準新能(néng)源車、智能(néng)電(diàn)網、光(guāng)伏發電(diàn)、軌道交通(tōng)等産業(yè)需求，國(guó)基南(nán)方攻克高(gāo)效、高(gāo)頻、高(gāo)功率寬禁帶半導體技(jì)術(shù)的電(diàn)力電(diàn)子器(qì)件(jiàn)重大關鍵技(jì)術(shù)難題，在碳化矽電(diàn)力電(diàn)子器(qì)件(jiàn)等領域取得系列重要創新成果。特别是碳化矽MOSFET對标國(guó)際先進，突破多(duō)項關鍵工(gōng)藝，推動建立材料外延、器(qì)件(jiàn)設計、芯片制造、模塊封裝的産業(yè)鏈布局，在國(guó)内率先建立了6英寸碳化矽器(qì)件(jiàn)工(gōng)藝平台，率先實現多(duō)型号多(duō)尺寸的産品量産和應用，滿足百萬輛車載充電(diàn)裝置應用需求，有力保障汽車電(diàn)子産業(yè)鏈供應鏈安全。

　　潛心深耕第三代半導體“賽道”，中國(guó)電(diàn)科科研人員(yuán)以實際行動踐行黨的二十大精神，立足國(guó)家所需、行業(yè)所趨、電(diàn)科所能(néng)，持續加強共性基礎技(jì)術(shù)研究攻關，努力為(wèi)國(guó)家第三代半導體技(jì)術(shù)創新與産業(yè)高(gāo)質量發展作出新的更大貢獻。